• ReklamaA1 - silpol v2

Szukaj

    Reklama
    B1 - konica minolta 18.02.2022-31.12.2024 Bogumiła

    Artykuły branżowe

    Wydanie nr: 5(79)/2012

    Artykuły branżowe

    Procesy Wspomagające

    Przygotowanie Powierzchni

    ponad rok temu  01.09.2012, ~ Administrator,   Czas czytania 7 minut

    Strona 3 z 4

    Metoda zapewnia dodatkowy pozytywny efekt w produkcji detali MID w technologii LDS (bezpośrednia strukturyzacja laserowa), w której do dobranego termoplastycznego tworzywa domieszkowany jest specjalny materiał. Do jego aktywacji promień lasera indukuje reakcję fizyczno-chemiczną, w wyniku której struktura polimerowa domieszki zostaje rozbita i działa jak katalizator w kolejnym etapie redukcyjnego pokrywania miedzią. Po strukturyzacji laserowej na powierzchni detali pozostają aktywne drobiny, które również są metalizowane i przez to mogą powodować problemy. Te pozostałości można usunąć techniką czyszczenia suchym lodem, podczas której drobne kryształki lodu dodatkowo wyrównują chropowate powierzchnie tworzone przez LDS. Prowadzi to do uproszczenia techniki konstrukcji i łączenia w detalach MID w technologii LDS, np. w bondingu, uzbrajaniu nieosłoniętych chipów lub w technologii flip-chip. Kolejną zaletą jest możliwość bezpośredniego zintegrowania modułu czyszczącego z systemem LDS.

    1219jakosc_004.jpg

    Plazma, gazowa mieszanka atomów, molekuł, jonów i wolnych elektronów umożliwia wydajną obróbkę oraz czyszczenie powierzchni w przemyśle elektronicznym. Źródło: Diener electronic


    Plazma - czyszczenie i aktywowanie

    Plazma, gazowa mieszanka atomów, molekuł, jonów i wolnych elektronów umożliwia wydajną obróbkę powierzchniową elektronicznych części konstrukcyjnych i komponentów z różnych materiałów. Przy tym jednocześnie odbywa się usuwanie organicznych zanieczyszczeń, jak oleje i tłuszcze a także aktywowanie powierzchni. Ta podwójna funkcja opiera się na fizyczno-chemicznych reakcjach. W zależności od zastosowania wykorzystywane są plazmy niskociśnieniowe lub integrowalne z procesem ciągłym plazmy atmosferycznej. Za pomocą plazmy niskociśnieniowej można przeprowadzać zarówno procesy utleniające, jak i redukujące. W plazmie tlenowej można usunąć organiczne zabrudzenia, takie jak: tłuszcze, oleje, resztki kleju przed lutowaniem lub bondingiem. Plazma redukująca w pierwszej kolejności służy do optymalizacji połączeń bondowanych poprzez redukcję galwanicznie nałożonych metalowych warstw. W przemyśle elektronicznym czyszczenie oraz aktywowanie powierzchni za pomocą plazm atmosferycznych stosuje się np. przed nadrukiem, klejeniem lub zlewaniem płytek elektronicznych i półprzewodników, również w produkcji optoelektronicznych części konstrukcyjnych i przed bondingiem. Jeden ze wspólnych projektów zajmuje się także powłokami barierowymi tworzonymi przez integrowalną z procesem ciągłym plazmą atmosferyczną, w celu selektywnej ochrony przed starzeniem i korozją elektronicznych komponentów. Do kontroli wyników czyszczenia służą takie rozwiązania, jak kompaktowe, integrowalne z procesem ciągłym mierniki fluoroscencyjne, wykrywające zanieczyszczenia organiczne, m.in. na polu kontaktowym w układzie scalonym.

    Komentarze (0)

    dodaj komentarz
    Aby dodać komentarz musisz podać wynik
      Nie ma jeszcze komentarzy...